Март 13, 2009
Хотя для расчетов схем с транзисторами достаточно иметь входные и выходные характеристики, иногда пользуются еще характеристиками передачи по току или переходными характеристиками Iк = f(Iэ) при Ukб = const в случае схемы с общей базой или Iк = f(Iб) гори U кэ = const в случае схемы с общим эмиттером. Эти характеристики показывают, что с увеличением тока эмиттера или тока базы растет и ток коллектора. Пример такой характеристики дан на рис.23.
Рис.23. Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером
У некоторых транзисторов она является почти прямолинейной.
Пользуются также характеристиками обратной связи Uэб = f(Uкб) при Iэ = const для схемы с общей базой или Uбэ при Iб = const для схемы с общим эмиттером.
(далее…)
Март 13, 2009
Статические характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером даны на рис. 6.22. Выходные характеристики Iк =f(Uкэ) при различных постоянных значениях тока базы Iб (рис. 22 а) имеют начальный участок, идущий круто, а затем переходят в пологие прямые. Эти характеристики напоминают анодные характеристики пентода.
Рис.22. Выходные (а) и и входные (б) характеристики плоскостного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером
Однако у последнего они идут более расходящимся пучком и расстояние между ними при изменении напряжения управляющей сетки на одну и ту же величину меняется. Чем больше отрицательное напряжение сетки, тем ближе друг к другу расположены характеристики пентода. Вследствие этого пентоды при усилении более мощных колебаний создают заметные искажения. У плоскостного транзистора характеристики лучше, чем у пентода.
(далее…)
Март 13, 2009
Зависимости между токами и напряжениями в транзисторах отображают их статические характеристики. Для вакуумных триодов при отсутствии сеточного тока достаточно иметь одно семейство сеточных или анодных характеристик. Каждое из них показывает взаимную зависимость трех величин: анодного тока, сеточного напряжения и анодного напряжения. В транзисторах взаимно связаны всегда четыре величины: входные и выходные токи и напряжения (I1, U1, I2, U2). Одним семейством характеристик эту зависимость показать нельзя. Необходимо пользоваться двумя семействами характеристик. Например, можно рассматривать семейство входных характеристик I1 = f(U1), вместе с семейством выходных характеристик I2 = f(U2). Для схемы с заземленной базой эти характеристики могут быть названы соответственно эмиттерными и коллекторными.
Следует отметить, что для каждой из трех схем включения транзистора существуют свои семейства характеристик. Пользуясь теми или иными характеристиками, надо обращать внимание на то, к какой схеме они относятся. Мы рассмотрим основные характеристики для наиболее распространенных схем с общей базой и с общим эмиттером и только для плоскостных транзисторов, так как точечные транзисторы сейчас уже не выпускаются.
(далее…)
