Март 7, 2009

Полупроводниковые точечные диоды менее мощные, чем плоскостные, но зато имеют малую емкость (не более 1 пф) и поэтому применяются на высоких частотах.

Рис.12. Точечные диоды: а — принцип устройства диода; б — устройство и внешний вид точечных диодов ДГ-Ц (1 — керамический патрон, 2 и 3 — металлические фланцы, 4 — контактная пружинка, 5 — кристаллодержатель, 6 — германий, 7 — выводы)

Рис.12. Точечные диоды: а — принцип устройства диода; б — устройство и внешний вид точечных диодов ДГ-Ц (1 — керамический патрон, 2 и 3 — металлические фланцы, 4 — контактная пружинка, 5 — кристаллодержатель, 6 — германий, 7 — выводы)

Принцип устройства точечного германиевого диода показан на рис.12. С пластинкой германия имеет контакт вольфрамовая проволочка. Германий применяется с электронной проводимостью, но около контакта с проволочкой образуется небольшая область с дырочной проводимостью. Таким образом, и здесь выпрямление происходит на границе полупроводников р и n, т. е. принципиальной разницы между плоскостными и точечными диодами нет. Вследствие того, что в точечных диодах площадь р-n-перехода очень мала, они пригодны для малых токов, но зато обладают и меньшей емкостью по сравнению с плоскостными диодами.

(далее…)

Март 7, 2009

Применяемые в выпрямителях для питания радиоаппаратуры купроксные и селеновые вентили работают также на принципе образования запирающего слоя в р-n-переходе. У купроксных вентилей закись меди на медном электроде имеет дырочную проводимость. В процессе изготовления вентиля между закисью меди и медью образуется слой с электронной проводимостью.

Рис.8 - Полупроводниковые вентили

Рис.8 - Полупроводниковые вентили

Выпрямление получается на границе этого слоя и закиси меди (рис.8 а).
Выпуск купроксных вентилей в настоящее время прекращен, так как лучшими качествами обладают селеновые выпрямители. В них селен, расположенный на алюминиевом или стальном основании, имеет дырочную, нанесенный на селен,содержит кадмий. Последний, соединяясь с селеном, образует слой с электронной проводимостью. Граница этого слоя с селеном является р-n-переходом (рис.8 б).

(далее…)

Март 6, 2009
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Рис.7 - Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Нелинейные свойства полупроводникового диода видны при рассмотрении его вольтамперной характеристики, пример которой для диода небольшой мощности дан на рис.7. Она показывает, что прямой ток в десятки миллиампер получается при прямом напряжении порядка десятых долей вольта. Поэтому прямое сопротивление имеет величину не выше десятков ом. Для более мощных вентилей прямой ток составляет сотни миллиампер и больше при таком же малом напряжении, a Rnp соответственно снижается до единиц ом и меньше.
Участок характеристики для обратного тока, малого по сравнению с прямым током, обычно показывают в другом масштабе, что и сделано на рис.7.

(далее…)