Полупроводниковые электронные приборы. » Принцип устройства плоскостного транзистора
Март 9, 2009
Рис.15. Принцип устройства плоскостного транзистора (а) и изображения  транзисторов на схемах (б и в)

Рис.15. Принцип устройства плоскостного транзистора (а) и изображения транзисторов на схемах (б и в)

Транзисторы, т. е. полупроводниковые или кристаллические триоды, применяющиеся в усилителях, приемниках, генераторах и других устройствах, также разделяются на плоскостные и точечные. Рассмотрим принцип их работы на примере плоскостного транзистора.  Схематически  его устройство  показано на рис. 15 а. Он представляет собой пластинку германия или другого полупроводника, в которой созданы три области различных проводимостей. Для примера взят транзистор n-р-n, .имеющий среднюю область с дырочной проводимостью, в крайние области с электронной проводимостью. Применяются также транзисторы p-n-р, в которых дырочной проводимостью обладают крайние области.
Средняя область транзистора называется базой или основанием (иногда управляющим электродом). Одна крайняя область называется эмиттером, другая — коллектором. Как видно, в транзисторе имеются два р-я-перехода: эмиттерный и коллекторный. Расстояние между ними очень мало, порядка 10—20 мк и менее, т. е. область базы представляет собой очень тонкий слой. Это является важнейшим условием для работы транзистора. С помощью металлических электродов от базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы.

Для величин, относящихся к базе, эмиттеру и коллектору, применяют индексы б, э, к. Токи в проводах базы, эмиттера и коллектора обозначают соответственно Iб, Iэ, Iк. Напряжения между электродами следует обозначать двойными индексами, . например, напряжения между базой и эмиттером и между коллектором и базой соответственно обозначаются Uбэ и Ukб. Схематические изображения транзисторов р-n-р и n-р-п показаны на рис.15 б. В литературе встречаются изображения транзисторов, подобные рис. 15 б, но без окружностей. Иногда специально для плоскостных транзисторов применяют схематическое изображение рис.15 в.
В схему транзистор включается так, что образуются две цепи. Входная, или управляющая, цепь аналогична сеточной цепи вакуумного триода. Выходная, или управляемая, цепь подобна анодной цепи лампы. Источник усиливаемых колебаний включается во входную цепь, а в выходную цепь включено нагрузочное сопротивление, на котором получается усиленное напряжение. Для входной и выходной цепей применяют соответственно индексы 1 и 2. Поэтому токи и напряжения в этих цепях обозначают I1, U1, I2, U2.

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.