Полупроводниковые электронные приборы. » Эквивалентные схемы усилительных ступеней
Март 10, 2009

Работа усилительной ступени с транзистором аналогична усилению колебаний с помощью лампы. В усилительной ступени с вакуумным триодом напряжение анодного источника делится между внутренним сопротивлением лампы для постоянного тока R0 и сопротивлением нагрузки Ra. Эквивалентная схема анодной цепи такой ступени для постоянного тока показана на рис.18 а. Если на сетку лампы подано переменное напряжение, то сопротивление Ro станет изменяться.

Чем больше отрицательное напряжение сетки, тем больше Ro. При запирании лампы Ro становится бесконечно большим. Наоборот, при изменении сеточного напряжения в положительную сторону сопротивление Ro уменьшается. Так как при изменении R0 нагрузочное сопротивление Ra остается постоянным, то напряжение источника Еа все время перераспределяется между. Ro и Ra. Колебания напряжения на Ra получаются значительными (если Ra взято достаточно большой величины), хотя изменения Ro вызваны сравнительно небольшими изменениями напряжения на сетке.

Рис.18. Эквивалентные схемы усилительных ступеней с электронной лампой (а) и транзистором (б)

Рис.18. Эквивалентные схемы усилительных ступеней с электронной лампой (а) и транзистором (б)

Таким образом получается усиление переменного напряжения. Кроме того, ламповая усилительная ступень дает усиление тока и мощности. Даже в случае, если бы переменное напряжение на Ra было равно переменному напряжению сетки за счет того, что переменный ток в анодной цепи гораздо больше, чем в сеточной, получалось бы усиление мощности. Практически ток сетки в большинстве случаев настолько мал, что его можно считать равным нулю. Следовательно, мощность в цепи сетки во много раз меньше, чем в анодной цепи, т. е. налицо огромное усиление по мощности. Усиленная мощность получается за счет энергии постоянного тока анодного источника.
В усилительной ступени с транзистором напряжение коллекторного источника Е2 (рис.18 б) делится между сопротивлением нагрузки Rн и внутренним сопротивлением транзистора, которое он оказывает постоянному току коллектора. Это сопротивление приближенно равно сопротивлению коллекторного перехода RK для постоянного тока. В действительности к нему еще добавляются небольшие сопротивления тонкого слоя базы и эмиттерного перехода, которые можно не принимать во внимание.

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.