Март 9, 2009
Рис.19,20 - Принцип устройства точечного транзистора (а) и аналогичного ему плоскостного транзистора р-n-р-n (б)
Устройство точечных транзисторов схематически показано на рис.19 а. Пластинка германия, имеющего обычно электронную проводимость, укреплена на металлическом основании. Вывод от него является выводом базы. С пластинкой имеют контакт две заостренные проволочки из вольфрама, являющиеся выводами эмиттера и коллектора. Контакты проволочек с германием находятся друг от друга на расстоянии не более нескольких десятков микрон. Внутри германия около контактов с проволочками образуются области с проводимостями различного рада. Таким образом, в точечном транзисторе, как и в плоскостном, имеются р-я-переходы. Благодаря малой собственной емкости точечные транзисторы работают на частотах до десятков мегагерц, но лишь при малых мощностях.
Точечные транзисторы по сравнению с плоскостными имеют статический коэффициент усиления по току а больше 1, но меньшее усиление по мощности и дают большие собственные шумы. Они обладают меньшей механической прочностью.
(далее…)
Март 9, 2009
Ступени с электронными лампами бывают трех видов. Наиболее распространена ступень с общим (или заземленным) катодом, в которой катод является точкой соединения сеточной и анодной цепей и, как правило, заземляется. На ультракоротких волнах применяется предложенная М. А. Бонч-Бруевичем ступень с общей (или заземленной) сеткой. В ней точкой соединения анодной и сеточной цепей служит сетка. Значительное распространение также получил катодный повторитель, в котором сопротивление нагрузки включено в провод катода, а анод заземлен по .переменному напряжению. Катодный повторитель представляет собой ступень с общим (или заземленным) анодом.
(далее…)
Март 9, 2009
Важнейшим параметром транзисторов является статический коэффициент усиления по току а для схемы с общей базой. Он представляет собой отношение изменения тока коллектора ΔIк к вызвавшему его изменению тока эмиттера ΔIэ при постоянном напряжении коллектор—-база Uкб:
Для плоскостных транзисторов а меньше 1 и при низких частотах имеет значения порядка 0,8—0,97 и выше. С повышением частоты а уменьшается. Это объясняется инерционностью носителей при их движении сквозь базу, а также шунтирующим влиянием собственной емкости коллекторного перехода Скt.
(далее…)
