Полупроводниковые электронные приборы. » 2009 » Март » 5
Март 5, 2009

Практически при обратном напряжении некоторый обратный ток все же есть. Он возникает вследствие того, что в каждом полупроводнике за счет тепловых процессов возникают в сравнительно небольшом  количестве  полусвободные  электроны и дырки. Но обратный ток Iобр во много раз меньше прямого тока Iпр и обратное сопротивление Ro6p не бесконечно велико, но во много раз больше сопротивления [...]

Март 5, 2009

По современным воззрениям в р-n-переходе запирающий слой образуется даже при отсутствии внешнего напряжения. Если имеется контакт р-  и n-германия (рис.4а), то вследствие беспорядочного теплового движения носителей происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Из германия я в германий р диффундируют электроны, в обратном направлении диффундируют дырки. По обе стороны границы раздела создаются объемные [...]

Март 5, 2009

Химически чистые полупроводники обладают собственной проводимостью, которую в отличие от проводимости, обусловленной наличием примесей, обозначают буквой i. Эта проводимость наполовину электронная и наполовину дырочная. При весьма низкой температуре полупроводник практически является диэлектриком. Но при повышении температуры проводимость его возрастает, так как все большее количество электронов, бывших ранее связанными, переходит в полусвободное состояние и вместе с [...]