Март 15, 2009

Высокочастотными являются поверхностно-барьерные транзисторы П404, П404А, П405 и П405А типа р-п-р. Принцип их устройства показан схематически на рис.35. В тонкой пластинке n-германия, от которой делается вывод базы, путем электрохимического травления делают углубления.

Рис.35. Принцип устройства  поверхностно-барьерного транзистора

Рис.35. Принцип устройства поверхностно-барьерного транзистора

Толщина базы в этом месте доводится до единиц микрон, и с обеих сторон наносятся слои акцепторного металла (например, индия). Предполагают, что на поверхности германия создаются очень тонкие слои с собственной проводимостью i, т. е. что структура транзистора получается p-i-n-i-p. Поверхностно-барьерные транзисторы имеют малые емкости переходов, небольшую допустимую мощность, рассеиваемую на приборе, и низкий уровень шумов.

(далее…)

Март 15, 2009

Питание карманного и переносного приемника осуществляется от миниатюрной батареи типа «Крона» или аккумулятора типа 7Д-0.1 напряжением 9 в.
Переносные приемники «Атмосфера» и «Альпинист» рассчитаны на питание от двух батареек карманного фонаря типа КБС-Л-0,5 или КБС-Х-0,5, соединенных последовательно. - В стационарных приемниках обычно используется по шесть элементов типа «Сятурн» (1,6ФМЦ-У-3,2), соединенных последовательно. Кроме, того, в некоторых стационарных приемниках имеется специальное выпрямительное устройство, питающееся от сети переменного тока напряжением 127 или 220 в.

(далее…)

Март 15, 2009

Полупроводниковые триоды позволили создать высокоэкономичные малогабаритные приемники, рассчитанные на низковольтные источники питания. Промышленность выпускает все большее количество разнообразных транзисторных приемников: карманных, переносных и стационарных. Подавляющее большинство транзисторных приемников построено по супергетеродинной схеме и лишь некоторые по схеме прямого усиления (например, сверхминиатюрный приемник «Эра»).

(далее…)

 Page 2 of 13 « 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 »