Полупроводниковые электронные приборы.

Так как на вход транзистора для усиления подается переменное напряжение, то иногда более удобно пользоваться характеристиками, аналогичными ламповым анодным и сеточным характеристикам. Выходные характеристики дают зависимость Iк=f(Uкэ) при постоянных значениях напряжения Uбэ (рис.25 а) и похожи на анодные характеристики пентода. В частности, они расположены не на одинаковых расстояниях друг от друга, а при уменьшении напряжения Uбэ сближаются, что является следствием нелинейной зависимости между напряжением и током базы (см. рис.22 б).

На этих характеристиках показано, что при значительном увеличении Uкэ ток Iк начинает возрастать быстрее. Подобное явление наблюдается при увеличении напряжения коллектора и на других выходных характеристика. Такой режим является опасным, так как он предшествует пробою. Величина напряжения, пробивающего коллекторный переход, обычно получается , порядка 20—30 в Для маломощных и 50—100 в для более мощных транзисторов. На рис. 6.25а даны также характеристики Iб = f(Uкэ) для двух значений Uбэ.   Они напоминают анодные  характеристики тока управляющей или экранирующей сетки электронной лампы и показывают, что для малого значения Uбэ при повышении напряжения Uкэ изменяется направление тока Iб. Причина этого явления была рассмотрена выше.
Переходные характеристики Iк = f(Uбэ) при U кэ = const, аналогичные сеточным характеристикам электронной лампы изображены на рис.25 б.

Рис.25. Выходные (а) и переходные (б) характеристики плоскостного транзистора для включения по схеме с общим эмиттером

Страницы: 1 2