Март 9, 2009

Несколько иначе это объясняется тем, что точечные транзисторы и соответствующие им плоскостные транзисторы с тремя р-п-переходами можно рассматривать как каскадное соединение двух обычных транзисторов. На рис. 20 изображен переход от

транзистора р-n-р-n к двум транзисторам р-n1-р1 и n2-р2-n, у которых области n1 и n2, а также р1 и р2 соответственно соединены, т. е. эквивалентны единым средним областям пир транзистора р-n-р-n. Каждый из транзисторов р-n1-p1 и n2-р2-n имеет а< 1. Первый из них включен по схеме с общей базой. Для такой схемы коэффициент усиления тока меньше 1. Но второй транзистор включен по схеме с общим эмиттером, для которой коэффициент усиления тока больше 1. Это следует из того, что входным током для данной схемы является ток базы, а он гораздо меньше тока коллектора. Поэтому для всей схемы по рис.20, которая эквивалентна точечному транзистору или транзистору, имеющему структуру р-n-р-n, коэффициент усиления тока получается больше 1.

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.