Март 5, 2009
Рис.1 - Принцип дырочной проводимости
Рассмотрим рис.1, на котором изображено для различных моментов времени несколько атомов, расположенных вдоль полупроводника. Пусть в начальный момент времени в крайнем атоме слева появилась дырка, вследствие того что из атома ушел электрон (рис.1а). Атом с дыркой имеет положительный заряд и может притянуть к себе электрон из соседнего атома. Если в полупроводнике действует электрическое поле (разность потенциалов), то это поле стремится двигать электроны в направлении от отрицательного потенциала к положительному.
(далее…)
Март 4, 2009
Полупроводники представляют собой группу веществ, которые по своей проводимости занимают среднее место между проводниками и диэлектриками. Для полупроводников характерен отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления в широкой области температур. При возрастании температуры сопротивление полупроводников уменьшается, а не увеличивается, как у большинства твердых проводников. Как правило, полупроводники имеют кристаллическое строение.
Принципы работы полупроводниковых диодов и транзисторов связаны с электрической проводимостью полупроводников. Исследования советских и иностранных ученых показали, что существуют полупроводники двух основных типов. Одни полупроводники, например окислы алюминия, цинка, титана и др., обладают подобно металлам электронной проводимостью и называются полупроводниками типа n (от слова negative — отрицательный), так как в них ток представляет собой перемещение электронов, т. е. отрицательно заряженных частиц. В этих полупроводниках имеется большое количество полусвободных электронов, которые очень слабо связаны с ядрами атомов и совершают беспорядочное тепловое движение между атомами кристаллической решетки.
(далее…)
