Март 5, 2009

Если приложить к р-n-переходу внешнее напряжение обратной полярности Uобр (рис.5 а) то поле, создаваемое этим напряжением, сложится с внутренним полем контактной разности потенциалов Результирующее поле усилится и потенциальный барьер станет выше (рис.5 б). Кроме того основные носители в обоих полупроводниках будут удаляться от границы. Следовательно запирающий слой станет толще и его сопротивление возрастет.

Рис.6 - Уменьшение толщины запирающего слоя и понижение потенциального барьера в нем под действием прямого напряжения

Рис.6 - Уменьшение толщины запирающего слоя и понижение потенциального барьера в нем под действием прямого напряжения

Если же приложить к р-n-переходу внешнее напряжение в прямом направлении (рис.6 а) то создаваемое им поле будет направлено навстречу  внутреннему полю. Результирующее поле станет слабее, и потенциальный барьер понизится (рис.6 б) Основным носителям теперь легче переходить через границу они, заполняя запирающий слой, уменьшают его толщину. Сопротивление запирающего слоя уменьшается, .и при некотором напряжении он вообще исчезает.

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.