Полупроводниковые электронные приборы.

Мы рассмотрели транзистор типа n-р-n. Подобные же процессы происходят и в транзисторах р-n-р, но в них меняются ролями электроны и дырки, а также изменяются на обратные полярности напряжений и направления токов (рис.17 в). В транзисторах р-n-р от эмиттера через базу к коллекторному переходу проникают не электроны, как в транзисторе n-р-n, а дырки. Они являются для базы неосновными носителями и уменьшают сопротивление коллекторного перехода. С увеличением тока эмиттера больше дырок проникает к коллекторному, переходу. Это вызывает уменьшение его сопротивления и возрастание тока коллектора.

Страницы: 1 2