Март 9, 2009
Рис.15. Принцип устройства плоскостного транзистора (а) и изображения  транзисторов на схемах (б и в)

Рис.15. Принцип устройства плоскостного транзистора (а) и изображения транзисторов на схемах (б и в)

Транзисторы, т. е. полупроводниковые или кристаллические триоды, применяющиеся в усилителях, приемниках, генераторах и других устройствах, также разделяются на плоскостные и точечные. Рассмотрим принцип их работы на примере плоскостного транзистора.  Схематически  его устройство  показано на рис. 15 а. Он представляет собой пластинку германия или другого полупроводника, в которой созданы три области различных проводимостей. Для примера взят транзистор n-р-n, .имеющий среднюю область с дырочной проводимостью, в крайние области с электронной проводимостью. Применяются также транзисторы p-n-р, в которых дырочной проводимостью обладают крайние области.
Средняя область транзистора называется базой или основанием (иногда управляющим электродом). Одна крайняя область называется эмиттером, другая — коллектором. Как видно, в транзисторе имеются два р-я-перехода: эмиттерный и коллекторный. Расстояние между ними очень мало, порядка 10—20 мк и менее, т. е. область базы представляет собой очень тонкий слой. Это является важнейшим условием для работы транзистора. С помощью металлических электродов от базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы.

(далее…)

Март 7, 2009
Вольтамперная характеристика одного из кремниевых стабилитронов

Рис.11 - Вольтамперная характеристика одного из кремниевых стабилитронов

К плоскостным диодам относятся кремниевые стабилитроны или опорные диоды (Д808, Д809, Д810, Д811 и Д813). Нормально они работают при обратном напряжении. Примерная их вольт-амперная характеристика приведена на рис. 11. В довольно широких пределах изменений обратного тока обратное напряжение остается почти постоянным. Такой режим предшествует явлению необратимого теплового пробоя и представляет собой обратимый электрический пробой, при котором наблюдается лавинообразное увеличение числа неосновных носителей, создающих обратный ток. Схемы включения кремниевых стабилитронов аналогичны схемам использования ионных стабилитронов. Кремниевые стабилитроны могут быть изготовлены на напряжения и токи в широком диапазоне (примерно 5- 1000 в и 1 мка - 1 a).

(далее…)

Март 7, 2009

В .настоящее время наша промышленность выпускает ряд новых диодов. Их обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква   Д.   Второй   элемент — номер, присвоенный данному типу прибора. Плоскостные кремниевые диоды для работы при повышенной температуре имеют номера 201—300, а плоскостные германиевые диоды для работы при обычных температурах — номера 301—400. Третий элемент — буква, указывающая разновидность типа прибора (если разновидностей нет, то буква не ставится).
Четыре новых типа кремниевых диодов Д202—Д205 предназначены для выпрямления переменного тока с частотой до 50 кгц и могут работать при температурах от —60° до +125°С. Они оформлены в металлическом герметическом корпусе с винтом для крепления на теплоотводящем шасси   (рис.  10 а).

(далее…)

 Page 9 of 13 « 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 »