Полупроводниковые электронные приборы. » Обратный ток и емкость p-n перехода
Март 5, 2009

Практически при обратном напряжении некоторый обратный ток все же есть. Он возникает вследствие того, что в каждом полупроводнике за счет тепловых процессов возникают в сравнительно небольшом  количестве  полусвободные  электроны и дырки. Но обратный ток Iобр во много раз меньше прямого тока Iпр и обратное сопротивление Ro6p не бесконечно велико, но во много раз больше сопротивления в прямом направлении Rnp. Уже при сравнительно небольшом напряжении обратный ток достигает примерно постоянной величины, которую можно назвать током насыщения. Это объясняется тем, что количество носителей, образующих своим движением обратный ток (электронов в р-области и дырок в n-области), ограничено. С повышением температуры количество таких неосновных носителей возрастает и обратный ток увеличивается, а обратное сопротивление уменьшается.


Реальный р-n-переход при обратном напряжении напоминает конденсатор с плохим диэлектриком, в котором имеется ток утечки. При заряде такого конденсатора в течение короткого промежутка времени проходит ток значительной величины, а затем будет существовать лишь небольшой ток утечки. Но ток утечки конденсатора пропорционален приложенному напряжению, а обратный ток р-n-перехода не так сильно зависит от напряжения.
При прямом напряжении р-n-переход также обладает некоторой емкостью, но она шунтируется малым сопротивлением перехода.

Комметирование закрыто.