Полупроводниковые электронные приборы. » Характеристики плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой
Март 13, 2009

Зависимости между токами и напряжениями в транзисторах отображают их статические характеристики.    Для вакуумных триодов при отсутствии сеточного тока достаточно иметь одно семейство сеточных или анодных характеристик. Каждое из них показывает взаимную зависимость трех величин: анодного тока, сеточного напряжения и анодного напряжения. В транзисторах взаимно связаны всегда четыре величины: входные и выходные токи и напряжения (I1, U1, I2, U2).   Одним семейством характеристик эту зависимость показать нельзя. Необходимо пользоваться двумя семействами   характеристик.   Например, можно рассматривать семейство входных   характеристик I1 =  f(U1), вместе с семейством   выходных   характеристик I2 =  f(U2). Для схемы с заземленной базой эти характеристики могут быть названы соответственно эмиттерными и коллекторными.
Следует отметить, что для каждой из трех схем включения транзистора существуют свои семейства характеристик. Пользуясь теми или иными характеристиками, надо обращать внимание на то, к какой схеме они относятся. Мы рассмотрим основные характеристики для наиболее распространенных схем с общей базой и с общим эмиттером и только для плоскостных транзисторов, так как точечные транзисторы сейчас уже не выпускаются.

Поскольку рабочие напряжения и токи во входной и выходной цепях транзисторов n-р-n и р-n-р имеют разные знаки, то в литературе иногда характеристики показывают с учетом этого, т. е. отрицательные напряжения и токи откладывают на осях влево и вниз. Однако удобнее их откладывать вправо и вверх в любом случае. Именно так показаны приводимые далее характеристики. А правильные полярность напряжений на транзисторе и направление токов в его цепях всегда устанавливаются соответственно типу транзистора (n-р-n или р-n-р) независимо от того, как изображены его характеристики.
Входные характеристики Iэ = f(Uэб) для схемы с общей базой показаны на рис.21 а.

Рис.21. Входные (а) и выходные (б) характеристики плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой

Рис.21. Входные (а) и выходные (б) характеристики плоскостного транзистора, включенного по схеме с общей базой

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.