Полупроводниковые электронные приборы.

Хотя для расчетов схем с транзисторами достаточно иметь входные и выходные характеристики, иногда пользуются еще характеристиками передачи по току или переходными характеристиками Iк = f(Iэ) при Ukб = const в случае схемы с общей базой или Iк = f(Iб) гори U кэ = const в случае схемы с общим эмиттером. Эти характеристики показывают, что с увеличением тока эмиттера или тока базы растет и ток коллектора. Пример такой характеристики дан на рис.23.

У некоторых транзисторов она является почти прямолинейной.
Пользуются также характеристиками обратной связи   Uэб = f(Uкб) при   Iэ = const для схемы с общей базой или    Uбэ при Iб = const для схемы с общим эмиттером.

Следует отметить, что в транзистоpax всегда существует довольно сильная внутренняя обратная связь. Это объясняется тем, что выходная и входная цепи имеют непосредственное электрическое соединение. Поэтому часть выходного напряжения бывает приложена к входу транзистора, а выходной ток (ток коллектора) частично проходит через входную цепь. Изменение этого тока вызывает изменение входного напряжения.
В последнее время в справочниках .часто приводятся   для   транзисторов все четыре типа характеристик, расположенные в четырех квадрантах. Это дает большую экономию места и удобно, так как на осях  координат откладываются в разные стороны от 0 разные величины и каждая ось используется для четырех графиков.  На рис.24 показаны в качестве примера такие характеристики для включения транзистора по схеме с общим эмиттером. Справа вверху даны выходные характеристики Iк = f(Uкэ ) при Iб = const;   слева  вверху показана    переходная  характеристика  Iк = f(Iб) при Uкэ = const, причем ток Iэ пришлось отложить влево от начала координат. Слева внизу показана входная характеристика Iб = = f (Uбэ ) при Uкэ — const. Для нее пришлось отложить ток Iб влево, а напряжение Uбэ  вниз. Иногда здесь же дается характеристика для Uкэ = 0. Справа внизу располагается   семейство характеристик обратной связи Uбэ = f(Uкэ ) при Iб = const, для которых напряжение Uбэ оказывается отложенным   вниз. Подобные же характеристики приводятся и для случая включения транзистора по схеме с общей базой.

Страницы: 1 2