Март 14, 2009

Обозначения транзисторов имеют три элемента. Первый элемент буква С — для точечных транзисторов и П—для плоскостных. Затем ставится номер в соответствии со следующей (классификацией. Маломощные германиевые транзисторы имеют номера 1—100, такие же кремниевые—101—200. Более мощным выходным (приборам присвоены номера 201—300 для германиевых транзисторов и 301—400 для кремниевых. Специальные высокочастотные транзисторы имеют номера 401—500 — германиевые и 501—600 — кремниевые. Все германиевые транзисторы предназначены для работы при обычных температурах, а кремниевые— три повышенных температурах. Третьим элементом обозначения является буква, указывающая разновидность прибора. При отсутствии разновидностей буква не ставится.

(далее…)

Март 13, 2009

Как видно  из них, ток  коллектора растет при увеличении напряжений Uбэ и Uкэ. Но в электронной лампе анодный ток существует не только при положительном, но и при отрицательном напряжении сетки, а в транзисторе ток коллектора может быть только при напряжении Uбэ одного знака.

Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора

Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора

Для снятия характеристик транзистора применяются такие же схемы, как и для снятия характеристик электронных ламп. Одна из возможных схем показана на рис.26. В ней напряжение Uкэ регулируется с помощью двух потенциометров R2 и R3, включенных каскадно.

(далее…)

Март 13, 2009

Хотя для расчетов схем с транзисторами достаточно иметь входные и выходные характеристики, иногда пользуются еще характеристиками передачи по току или переходными характеристиками Iк = f(Iэ) при Ukб = const в случае схемы с общей базой или Iк = f(Iб) гори U кэ = const в случае схемы с общим эмиттером. Эти характеристики показывают, что с увеличением тока эмиттера или тока базы растет и ток коллектора. Пример такой характеристики дан на рис.23.

Рис.23. Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером

Рис.23. Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером

У некоторых транзисторов она является почти прямолинейной.
Пользуются также характеристиками обратной связи   Uэб = f(Uкб) при   Iэ = const для схемы с общей базой или    Uбэ при Iб = const для схемы с общим эмиттером.

(далее…)