Характеристики транзистора при повышении температуры
Как видно из них, ток коллектора растет при увеличении напряжений Uбэ и Uкэ. Но в электронной лампе анодный ток существует не только при положительном, но и при отрицательном напряжении сетки, а в транзисторе ток коллектора может быть только при напряжении Uбэ одного знака.
Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора
Для снятия характеристик транзистора применяются такие же схемы, как и для снятия характеристик электронных ламп. Одна из возможных схем показана на рис.26. В ней напряжение Uкэ регулируется с помощью двух потенциометров R2 и R3, включенных каскадно.
Рис.27. Изменение выходных характеристик транзистора при повышении температуры
При таком включении напряжение, снимаемое с потенциометра R3, подается на потенциометр R2, а с последнего напряжение снимается на транзистор.
Это позволяет получать весьма малое напряжение и более плавно изменять напряжение ию. В этом случае нулевое напряжение надо устанавливать потенциометром R2. Источником Е2 может быть батарея на 20—30 в или выпрямитель.
Ток базы Iб измеряется микроамперметром, а для измерения напряжения Uбэ применяется милливольтметр. В данной схеме для определения истинного значения Uбэ надо из показания милливольтметра вычесть падение напряжения на микроамперметре, которое легко найти умножением тока Iб на сопротивление микроамиерметра. Потенциометр R1 берется с небольшим сопротивлением (десятки ом). В качестве источника Е1 удобно взять один сухой элемент. Сопротивление R служит для того, чтобы напряжение на R1 составляло лишь несколько десятых долей вольта.
Большим недостатком транзисторов является сильное влияние температуры на их характеристики. При повышении температуры токи в цепях транзистора возрастают. В частности, ток
Iк0 примерно удваивается при увеличении температуры на каждые 10 °С. На рис.27 показаны семейства выходных характеристик при двух разных температурах. Такое резкое изменение характеристик происходит, с одной стороны, от изменения температуры окружающей среды, а с другой стороны, от нагрева самого транзистора проходящими через него токами. Температурная нестабильность транзисторов во многих случаях нарушает нормальную работу, и поэтому приходится применять особые методы температурной стабилизации (или компенсации).