Полупроводниковые электронные приборы. » Характеристики транзистора при повышении температуры
Март 13, 2009

Как видно  из них, ток  коллектора растет при увеличении напряжений Uбэ и Uкэ. Но в электронной лампе анодный ток существует не только при положительном, но и при отрицательном напряжении сетки, а в транзисторе ток коллектора может быть только при напряжении Uбэ одного знака.

Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора

Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора

Для снятия характеристик транзистора применяются такие же схемы, как и для снятия характеристик электронных ламп. Одна из возможных схем показана на рис.26. В ней напряжение Uкэ регулируется с помощью двух потенциометров R2 и R3, включенных каскадно.

Рис.27. Изменение выходных характеристик транзистора при повышении температуры

Рис.27. Изменение выходных характеристик транзистора при повышении температуры

При таком включении напряжение, снимаемое с потенциометра R3, подается   на   потенциометр R2, а с последнего напряжение снимается на транзистор.

Это позволяет получать весьма малое напряжение и более плавно изменять напряжение ию. В этом случае нулевое напряжение надо устанавливать потенциометром R2. Источником Е2 может быть батарея на 20—30 в или выпрямитель.
Ток базы Iб измеряется микроамперметром, а для измерения напряжения Uбэ применяется милливольтметр. В данной схеме для определения истинного значения Uбэ надо из показания милливольтметра вычесть падение напряжения на микроамперметре, которое легко найти умножением тока Iб на сопротивление микроамиерметра. Потенциометр R1 берется с небольшим сопротивлением (десятки ом). В качестве источника Е1 удобно взять один сухой элемент.   Сопротивление R служит для того, чтобы напряжение на R1 составляло лишь несколько десятых долей вольта.
Большим недостатком транзисторов является сильное влияние температуры на их характеристики. При повышении температуры токи в цепях транзистора возрастают.  В  частности,  ток
Iк0  примерно удваивается при увеличении температуры на каждые 10 °С. На рис.27 показаны семейства выходных характеристик при двух разных температурах. Такое резкое изменение характеристик происходит, с одной стороны, от изменения температуры окружающей среды, а с другой стороны, от нагрева самого транзистора проходящими через него токами. Температурная нестабильность транзисторов во многих случаях нарушает нормальную работу, и поэтому приходится применять особые методы температурной стабилизации (или компенсации).

Комметирование закрыто.