Полупроводниковые электронные приборы. » Виды транзисторов
Март 14, 2009

Мощные транзисторы П4А—П4Д в схеме с общим эмиттером могут отдавать полезную (мощность до 12 вт. Допустимая мощность, рассеиваемая прибором с дополнительным радиатором,— 30 вт, без радиатора — 2 вт, а напряжение коллектора 35—60 в. Они оформлены в металлическом герметичном баллоне со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис.32 б). Транзисторы П201, П201А, П202 и П203 предназначены для усилителей низкой частоты, преобразователей напряжения в питающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры и переключающих схем.

Рис.32.Внешний вид транзисторов ПЗ (а) и П4 (б)

Рис.32.Внешний вид транзисторов ПЗ (а) и П4 (б)

Эти транзисторы оформлены металлическом герметичном (корпусе, с которым.электрически соединен коллектор.

Они выдерживают наибольшую температуру коллекторного перехода 100 °С и допускают рассеивание мощности прибором с дополнительным радиатором 10 вт, а без него — 1 вт. В схеме с общей базой наибольшее допустимое напряжение коллектора составляет 30 в для П201 и П201А, 45 в для П202 и 60 в для П203.
Новыми мощными транзисторами являются П207, П207А, П208 и П208А, а также П209, П209А, П210 и П210А. Первые имеют наибольшую мощность, рассеиваемую прибором, с дополнительным радиатором 100 вт и без него — 4 вт. У второй группы эти мощности соответственно равны 60 и 1,5 вт. При работе приборов первой группы в предельном режиме рекомендуется водяное охлаждение.
Следует отметить, что все мощные транзисторы — германиевые типа р-n-р.Достигнуты значительные успехи в создании транзисторов для более высоких частот. Применению плоскостных транзисторов на повышенных частотах препятствуют инерционность диффузионного процесса перемещения носителей через базу и влияние емкости коллекторного перехода. Поэтому для повышения предельной рабочей частоты необходимо уменьшать толщину   базы,   ее  сопротивление и площадь коллекторного перехода. Однако в этом встречаются большие трудности и противоречия. Например, уменьшение толщины базы и площади коллекторного перехода приводит к увеличению сопротивления базы и снижению допустимой нагрузки транзистора по току и мощности. В обычных плоскостных транзисторах, которые относятся к сплавному типу, поскольку в них для создания р-n-переходов в пластинку данного полупроводника (например, германия) вплавлены другие вещества (например, индий), не удается значительно повысить предельную частоту.

Комметирование закрыто.