Все о полупроводниках
Существенное увеличение предельной частоты получено в диффузионных транзисторах П401—П403. Принцип их устройства показан на рис. 33. В кристалле р-германия сделано небольшое углубление с тонким слоем п-германия, на который кладут две капли различных сплавов, содержащих донатор-ные и акцепторные примеси.
Затем при высокой температуре происходит сплавление этих капель с германием и диффузионное проникновение примесей из жидкого сплава в [...]
Мощные транзисторы П4А—П4Д в схеме с общим эмиттером могут отдавать полезную (мощность до 12 вт. Допустимая мощность, рассеиваемая прибором с дополнительным радиатором,— 30 вт, без радиатора — 2 вт, а напряжение коллектора 35—60 в. Они оформлены в металлическом герметичном баллоне со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис.32 б). Транзисторы П201, П201А, П202 и П203 предназначены [...]
Обозначения транзисторов имеют три элемента. Первый элемент буква С — для точечных транзисторов и П—для плоскостных. Затем ставится номер в соответствии со следующей (классификацией. Маломощные германиевые транзисторы имеют номера 1—100, такие же кремниевые—101—200. Более мощным выходным (приборам присвоены номера 201—300 для германиевых транзисторов и 301—400 для кремниевых. Специальные высокочастотные транзисторы имеют номера 401—500 — германиевые [...]
