Март 14, 2009
Классификация радиовещательных приемников определяется их качественными показателями. Наиболее простые радиоприемники — четвертого класса, обладающие небольшой чувствительностью и избирательностью. Такие приемники, как правило, не имеют коротковолнового диапазона. У них один громкоговоритель, который не может воспроизвести широкую полосу частот. Громкость звучания громкоговорителя рассчитана на небольшую комнату. Назначение этих приемников — уверенно и с хорошим качеством принимать небольшое количество местных радиостанций. На наружную антенну, особенно за городом, возможен прием и мощных далеких станций. Приемники четвертого класса выпускаются без проигрывателей.
(далее…)
Март 14, 2009
Требования к радиоприемникам и радиолам вытекают из их целевого назначения и сводятся к следующим качественным показателям; чувствительность, избирательность, выходная мощность, качество воспроизведения сигнала, надежность, устойчивость и экономичность работы, удобство управления, габариты, вес и стоимость.
Чувствительность характеризует способность приемника принимать слабые сигналы. Чувствительностью радиоприемника называют его способность обеспечивать нормальный прием при малых электродвижущих силах (э. д. с.) сигналов в антенне. Чем меньше э, д. с, тем выше чувствительность, приемника. В зависимости от класса чувствительность радиовещательных приемников измеряется от нескольких десятков до сотен микровольт.
Однако следует иметь в виду, что высокая чувствительность может быть практически реализована только при условии, когда уровень собственных шумов на выходе приемника в несколько раз ниже уровня сигналов. Поэтому современные приемники характеризуются не только их чувствительностью, но и так Называемой реальной чувствительностью, при которой обеспечивается определенное превышение уровня сигналов над уровнем собственных шумов.
(далее…)
Март 14, 2009
Существенное увеличение предельной частоты получено в диффузионных транзисторах П401—П403. Принцип их устройства показан на рис. 33. В кристалле р-германия сделано небольшое углубление с тонким слоем п-германия, на который кладут две капли различных сплавов, содержащих донатор-ные и акцепторные примеси.
Рис.33. Принцип устройства диффузионного транзистора
Затем при высокой температуре происходит сплавление этих капель с германием и диффузионное проникновение примесей из жидкого сплава в твердый германий. После затвердевания одна капля образует эмиттерную р-область. Под ней получается базовая n-область толщиной в несколько микрон. Выводом от нее служит другая капля. Пластинка германия припаивается к кристаллодержателю и помещается в корпус, который оказывается соединенным с коллектором.
(далее…)
