Март 9, 2009
Рисю19 - Принцип устройства точечного   транзистора  (а)  и аналогичного ему плоскостного транзистора р-n-р-n (б)

Рис.19,20 - Принцип устройства точечного транзистора (а) и аналогичного ему плоскостного транзистора р-n-р-n (б)

Устройство точечных транзисторов схематически показано на рис.19 а. Пластинка германия, имеющего обычно электронную проводимость, укреплена на металлическом основании. Вывод от него является выводом базы. С пластинкой имеют контакт две заостренные проволочки из вольфрама, являющиеся выводами эмиттера и коллектора. Контакты проволочек с германием находятся друг от друга на расстоянии не более нескольких десятков микрон. Внутри германия около контактов с проволочками образуются области с проводимостями различного рада. Таким образом, в точечном транзисторе, как и в плоскостном, имеются р-я-переходы. Благодаря малой собственной емкости точечные транзисторы работают на частотах до десятков мегагерц, но лишь при малых мощностях.
Точечные транзисторы по сравнению с плоскостными имеют статический коэффициент усиления по току а больше 1, но меньшее усиление по мощности и дают большие собственные шумы. Они обладают меньшей механической прочностью.

Усилительные ступени с точечными транзисторами работают устойчиво  только по схеме с общей базой. В других схемах возможна паразитная генерация, с которой приходится вести борьбу. Поэтому в настоящее время разрабатываются и производятся только плоскостные транзисторы.

В течение ряда лет было неясно, почему величина а в точечных транзисторах больше 1. Однако в дальнейшем такой коэффициент усиления по току удалось получить и у плоскостных транзисторов, имеющих два средних слоя с разными проводимостями (рис.19 б). Подобные транзисторы типа   р-n-р-n   с тремя р-n-переходами пока созданы лишь в виде опытных образцов. В них дырки, пришедшие от эмиттера через базу и коллекторный переход 2 в слой с проводимостью р, накапливаются в нем, образуя слева от перехода 3 положительный объемный заряд. Он действует на электроны, имеющиеся в избытке в п-области справа от перехода 5, и способствует их продвижению через слой р между переходами 3 я 2. А далее электроны легко попадают в базу, так как в переходе 2 на них действует сильное ускоряющее поле. Таким образом, при сравнительно небольшом увеличении тока эмиттера получается значительное увеличение тока коллектора, обусловленное потоком электронов через переход 5, и а оказывается больше 1. Высокое значение а у точечных транзисторов объясняется наличием третьего перехода около коллектора (рис.19 а).

Страницы: 1 2

Комметирование закрыто.