Полупроводниковые электронные приборы. » Поверхностно-барьерный транзистор
Март 15, 2009

Высокочастотными являются поверхностно-барьерные транзисторы П404, П404А, П405 и П405А типа р-п-р. Принцип их устройства показан схематически на рис.35. В тонкой пластинке n-германия, от которой делается вывод базы, путем электрохимического травления делают углубления.

Рис.35. Принцип устройства  поверхностно-барьерного транзистора

Рис.35. Принцип устройства поверхностно-барьерного транзистора

Толщина базы в этом месте доводится до единиц микрон, и с обеих сторон наносятся слои акцепторного металла (например, индия). Предполагают, что на поверхности германия создаются очень тонкие слои с собственной проводимостью i, т. е. что структура транзистора получается p-i-n-i-p. Поверхностно-барьерные транзисторы имеют малые емкости переходов, небольшую допустимую мощность, рассеиваемую на приборе, и низкий уровень шумов.

Для транзисторов П404 предельная частота генерирования равна 20 Мгц, а для П405 — 30 Мгц. Величина а у П404 не менее 0,93, а у П405 не менее 0,95. Наибольшее напряжение коллектора составляет 4,5 в, а допустимая мощность, рассеиваемая прибором, равна 10 мвт. Транзисторы П404 и П405 оформлены в металло-стеклянном герметичном корпусе с гибкими выводами.
Разработаны также и некоторые другие новые типы транзисторов, но они пока еще не находятся в массовом производстве.
При использовании транзисторов (и полупроводниковых диодов) в радиоэлектронной аппаратуре необходимо соблюдать следующие правила.
Полупроводниковые приборы можно включать в схему при помощи лайки, а также панелей или зажимов. Пайка допускается не ближе 10 мм от корпуса прибора в течение 2—3 сек паяльником мощностью 50—60 вт. Температура пайки не должна быть выше 150 °С. Между корпусом прибора и местом пайки желателен теплоотвод с помощью куска металла. Не рекомендуется крепить приборы на выводах. Не следует располагать приборы вблизи нагревающихся деталей. Желательно обеспечить хороший теплоотвод от корпуса прибора. Нельзя допускать перегрузки по току, напряжению и мощности. Следует остерегаться включения на транзисторы питающих напряжений с неправильной полярностью. При включении транзисторов всех типов вывод базы должен присоединяться первым к источникам питания.

Комметирование закрыто.