Март 6, 2009
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Рис.7 - Вольтамперная характеристика полупроводникового диода

Нелинейные свойства полупроводникового диода видны при рассмотрении его вольтамперной характеристики, пример которой для диода небольшой мощности дан на рис.7. Она показывает, что прямой ток в десятки миллиампер получается при прямом напряжении порядка десятых долей вольта. Поэтому прямое сопротивление имеет величину не выше десятков ом. Для более мощных вентилей прямой ток составляет сотни миллиампер и больше при таком же малом напряжении, a Rnp соответственно снижается до единиц ом и меньше.
Участок характеристики для обратного тока, малого по сравнению с прямым током, обычно показывают в другом масштабе, что и сделано на рис.7.

(далее…)

Март 5, 2009

Практически при обратном напряжении некоторый обратный ток все же есть. Он возникает вследствие того, что в каждом полупроводнике за счет тепловых процессов возникают в сравнительно небольшом  количестве  полусвободные  электроны и дырки. Но обратный ток Iобр во много раз меньше прямого тока Iпр и обратное сопротивление Ro6p не бесконечно велико, но во много раз больше сопротивления в прямом направлении Rnp. Уже при сравнительно небольшом напряжении обратный ток достигает примерно постоянной величины, которую можно назвать током насыщения. Это объясняется тем, что количество носителей, образующих своим движением обратный ток (электронов в р-области и дырок в n-области), ограничено. С повышением температуры количество таких неосновных носителей возрастает и обратный ток увеличивается, а обратное сопротивление уменьшается.

(далее…)

Март 5, 2009
Рис.4 - Образование запирающего слоя (АВ) в электронно-дырочном переходе (а); распределение в нем плотности объемного заряда (б); потенциала (е) и напряженности поля (г)

Рис.4 - Образование запирающего слоя (АВ) в электронно-дырочном переходе (а); распределение в нем плотности объемного заряда (б); потенциала (е) и напряженности поля (г)

По современным воззрениям в р-n-переходе запирающий слой образуется даже при отсутствии внешнего напряжения. Если имеется контакт р-  и n-германия (рис.4а), то вследствие беспорядочного теплового движения носителей происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Из германия я в германий р диффундируют электроны, в обратном направлении диффундируют дырки. По обе стороны границы раздела создаются объемные разноименные заряды: положительный в германии я и отрицательный в германии р. Распределение плотности этих зарядов р показано иа графике рис.4 б. Между зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и действует электрическое поле, препятствующее дальнейшей диффузии носителей.

(далее…)

 Page 11 of 13 « 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 »