Запирающий слой в электронно дырочном переходе
Март 5, 2009
По современным воззрениям в р-n-переходе запирающий слой образуется даже при отсутствии внешнего напряжения. Если имеется контакт р- и n-германия (рис.4а), то вследствие беспорядочного теплового движения носителей происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Из германия я в германий р диффундируют электроны, в обратном направлении диффундируют дырки. По обе стороны границы раздела создаются объемные [...]
