Март 13, 2009
Как видно из них, ток коллектора растет при увеличении напряжений Uбэ и Uкэ. Но в электронной лампе анодный ток существует не только при положительном, но и при отрицательном напряжении сетки, а в транзисторе ток коллектора может быть только при напряжении Uбэ одного знака.
Рис.26. Схема для снятия статических характеристик транзистора
Для снятия характеристик транзистора применяются такие же схемы, как и для снятия характеристик электронных ламп. Одна из возможных схем показана на рис.26. В ней напряжение Uкэ регулируется с помощью двух потенциометров R2 и R3, включенных каскадно.
(далее…)
Март 13, 2009
Хотя для расчетов схем с транзисторами достаточно иметь входные и выходные характеристики, иногда пользуются еще характеристиками передачи по току или переходными характеристиками Iк = f(Iэ) при Ukб = const в случае схемы с общей базой или Iк = f(Iб) гори U кэ = const в случае схемы с общим эмиттером. Эти характеристики показывают, что с увеличением тока эмиттера или тока базы растет и ток коллектора. Пример такой характеристики дан на рис.23.
Рис.23. Переходная характеристика транзистора для включения по схеме с общим эмиттером
У некоторых транзисторов она является почти прямолинейной.
Пользуются также характеристиками обратной связи Uэб = f(Uкб) при Iэ = const для схемы с общей базой или Uбэ при Iб = const для схемы с общим эмиттером.
(далее…)
Март 13, 2009
Статические характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером даны на рис. 6.22. Выходные характеристики Iк =f(Uкэ) при различных постоянных значениях тока базы Iб (рис. 22 а) имеют начальный участок, идущий круто, а затем переходят в пологие прямые. Эти характеристики напоминают анодные характеристики пентода.
Рис.22. Выходные (а) и и входные (б) характеристики плоскостного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером
Однако у последнего они идут более расходящимся пучком и расстояние между ними при изменении напряжения управляющей сетки на одну и ту же величину меняется. Чем больше отрицательное напряжение сетки, тем ближе друг к другу расположены характеристики пентода. Вследствие этого пентоды при усилении более мощных колебаний создают заметные искажения. У плоскостного транзистора характеристики лучше, чем у пентода.
(далее…)
