Полупроводниковые электронные приборы. » Характеристики плоскостного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером
Март 13, 2009

Статические характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером даны на рис. 6.22. Выходные характеристики Iк =f(Uкэ) при различных постоянных значениях тока базы Iб (рис. 22 а) имеют начальный участок, идущий круто, а затем переходят в пологие прямые. Эти характеристики напоминают анодные характеристики пентода.

Рис.22. Выходные (а) и и входные (б) характеристики плоскостного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером

Рис.22. Выходные (а) и и входные (б) характеристики плоскостного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером

Однако у последнего они идут более расходящимся пучком и расстояние между ними при изменении напряжения управляющей сетки на одну и ту же величину меняется. Чем больше отрицательное напряжение сетки, тем ближе друг к другу расположены характеристики пентода. Вследствие этого пентоды при усилении более мощных колебаний создают заметные искажения. У плоскостного транзистора характеристики лучше, чем у пентода.

Они идут почти параллельно и на одинаковом расстоянии друг от друга. Поэтому транзисторы могут дать усиление мощных колебаний с меньшими искажениями и более высоким кпд, чем пентоды.

Входные характеристики Iб= f(Uбэ) при различных постоянных напряжениях Uкб показаны на рис. 22 б. При Uкэ = 0, эта характеристика подобна обычной вольт ампер ной характеристике прямого тока эмиттерного перехода, а при увеличении Uкэ кривая сдвигается вправо, что соответствует уменьшению тока базы. Кроме того, при Uкэ>0 и малых Uбэ ток Iб меняет свой знак. Особенности характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером объясняются главным образом тем что часть напряжения Uкэ приложена к участку база — эмиттер (через сопротивления коллектора, коллекторного перехода и базы). Эта часть напряжения Uкэ является напряжением обратной связи. На эмиттерном переходе оно действует согласованно с напряжением Uбэ, приложенным от источника входной цепи Е1 и способствует увеличению тока эмиттера и соответственно тока коллектора. А во внешней части входной цепи напряжение обратной связи действует навстречу эдс источника E1, что приводит к уменьшению тока базы и изменению его направления при малых значениях Uбэ.

Комметирование закрыто.