Поверхностно-барьерный транзистор
Март 15, 2009
Высокочастотными являются поверхностно-барьерные транзисторы П404, П404А, П405 и П405А типа р-п-р. Принцип их устройства показан схематически на рис.35. В тонкой пластинке n-германия, от которой делается вывод базы, путем электрохимического травления делают углубления.
Толщина базы в этом месте доводится до единиц микрон, и с обеих сторон наносятся слои акцепторного металла (например, индия). Предполагают, что на поверхности германия [...]
