Март 15, 2009

Высокочастотными являются поверхностно-барьерные транзисторы П404, П404А, П405 и П405А типа р-п-р. Принцип их устройства показан схематически на рис.35. В тонкой пластинке n-германия, от которой делается вывод базы, путем электрохимического травления делают углубления.

Рис.35. Принцип устройства  поверхностно-барьерного транзистора

Рис.35. Принцип устройства поверхностно-барьерного транзистора

Толщина базы в этом месте доводится до единиц микрон, и с обеих сторон наносятся слои акцепторного металла (например, индия). Предполагают, что на поверхности германия создаются очень тонкие слои с собственной проводимостью i, т. е. что структура транзистора получается p-i-n-i-p. Поверхностно-барьерные транзисторы имеют малые емкости переходов, небольшую допустимую мощность, рассеиваемую на приборе, и низкий уровень шумов.

(далее…)

Март 14, 2009

Существенное увеличение предельной частоты получено в диффузионных транзисторах П401—П403. Принцип их устройства показан на рис. 33. В кристалле р-германия сделано небольшое углубление с тонким слоем п-германия, на который кладут две капли различных сплавов, содержащих донатор-ные и акцепторные примеси.

Рис.33. Принцип устройства диффузионного транзистора

Рис.33. Принцип устройства диффузионного транзистора

Затем при высокой температуре происходит сплавление этих капель с германием и диффузионное проникновение примесей из жидкого сплава в твердый германий. После затвердевания одна капля образует эмиттерную р-область. Под ней получается базовая n-область толщиной в несколько микрон. Выводом от нее служит другая капля. Пластинка германия припаивается к кристаллодержателю и помещается в корпус, который оказывается соединенным с коллектором.

(далее…)

Март 14, 2009

Мощные транзисторы П4А—П4Д в схеме с общим эмиттером могут отдавать полезную (мощность до 12 вт. Допустимая мощность, рассеиваемая прибором с дополнительным радиатором,— 30 вт, без радиатора — 2 вт, а напряжение коллектора 35—60 в. Они оформлены в металлическом герметичном баллоне со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис.32 б). Транзисторы П201, П201А, П202 и П203 предназначены для усилителей низкой частоты, преобразователей напряжения в питающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры и переключающих схем.

Рис.32.Внешний вид транзисторов ПЗ (а) и П4 (б)

Рис.32.Внешний вид транзисторов ПЗ (а) и П4 (б)

Эти транзисторы оформлены металлическом герметичном (корпусе, с которым.электрически соединен коллектор.

(далее…)

Торшеры; точечные светильники для ванной . Подсветки для картин. в Казани Читайте дальше..