Диффузионный транзистор
Существенное увеличение предельной частоты получено в диффузионных транзисторах П401—П403. Принцип их устройства показан на рис. 33. В кристалле р-германия сделано небольшое углубление с тонким слоем п-германия, на который кладут две капли различных сплавов, содержащих донатор-ные и акцепторные примеси.
Рис.33. Принцип устройства диффузионного транзистора
Затем при высокой температуре происходит сплавление этих капель с германием и диффузионное проникновение примесей из жидкого сплава в твердый германий. После затвердевания одна капля образует эмиттерную р-область. Под ней получается базовая n-область толщиной в несколько микрон. Выводом от нее служит другая капля. Пластинка германия припаивается к кристаллодержателю и помещается в корпус, который оказывается соединенным с коллектором.
Транзисторы такого типа названы диффузионными потому, что очень тонкая область базы создана благодаря диффузии примесей. Вследствие того что в базе примеси распределяются неравномерно, в ней действует электрическое поле, ускоряющее движение носителей от эмиттера к коллектору (дрейф носителей). Поэтому такие транзисторы иногда называют дрейфовыми, хотя это название применяют и к некоторым другим типам.
Предельные частоты генерирования составляют: 30 Мгц у П401, 60 Мгц у П402, 120 Мгц у П403 и П403А. Все эти транзисторы работают при напряжении коллектора до 10 в и допускают мощность рассеивания в приборе 100 мет. Величина а в них 0,96.
Новым типом являются диффузионные германиевые транзисторы типа р-n-р — П410, П410А, П411 и П411А.
Рис.34. Внешний вид транзисторов П410— П411
Они имеют металлический герметичный корпус со стеклянными изоляторами и коаксиальными выводами (рис. 34). Корпус у них соединен с базой. Максимальная частота генерирования 200 Мгц у П410 и П410А, 400 Мгц у П411 и П411А. Наибольшее напряжение коллектора — до 8 в и допустимая мощность, рассеиваемая прибором 100 мвт.