Диффузионный транзистор
Март 14, 2009
Существенное увеличение предельной частоты получено в диффузионных транзисторах П401—П403. Принцип их устройства показан на рис. 33. В кристалле р-германия сделано небольшое углубление с тонким слоем п-германия, на который кладут две капли различных сплавов, содержащих донатор-ные и акцепторные примеси.
Затем при высокой температуре происходит сплавление этих капель с германием и диффузионное проникновение примесей из жидкого сплава в [...]
