Март 5, 2009

Практически при обратном напряжении некоторый обратный ток все же есть. Он возникает вследствие того, что в каждом полупроводнике за счет тепловых процессов возникают в сравнительно небольшом  количестве  полусвободные  электроны и дырки. Но обратный ток Iобр во много раз меньше прямого тока Iпр и обратное сопротивление Ro6p не бесконечно велико, но во много раз больше сопротивления в прямом направлении Rnp. Уже при сравнительно небольшом напряжении обратный ток достигает примерно постоянной величины, которую можно назвать током насыщения. Это объясняется тем, что количество носителей, образующих своим движением обратный ток (электронов в р-области и дырок в n-области), ограничено. С повышением температуры количество таких неосновных носителей возрастает и обратный ток увеличивается, а обратное сопротивление уменьшается.

(далее…)

Март 5, 2009
Рис.4 - Образование запирающего слоя (АВ) в электронно-дырочном переходе (а); распределение в нем плотности объемного заряда (б); потенциала (е) и напряженности поля (г)

Рис.4 - Образование запирающего слоя (АВ) в электронно-дырочном переходе (а); распределение в нем плотности объемного заряда (б); потенциала (е) и напряженности поля (г)

По современным воззрениям в р-n-переходе запирающий слой образуется даже при отсутствии внешнего напряжения. Если имеется контакт р-  и n-германия (рис.4а), то вследствие беспорядочного теплового движения носителей происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Из германия я в германий р диффундируют электроны, в обратном направлении диффундируют дырки. По обе стороны границы раздела создаются объемные разноименные заряды: положительный в германии я и отрицательный в германии р. Распределение плотности этих зарядов р показано иа графике рис.4 б. Между зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и действует электрическое поле, препятствующее дальнейшей диффузии носителей.

(далее…)

Март 5, 2009
Рис.3 - Прохождение тока через электронно-дырочный переход

Рис.3 - Прохождение тока через электронно-дырочный переход

Область по обе стороны от границы двух полупроводников с различными типами проводимостей называется электронно-дырочным или р-п-переходом. Толщина этой области достаточно мала (порядка 10(-5) см).

Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т. е. является нелинейным сопротивлением, и поэтому используется для выпрямления переменного тока. На рис.3 показано прохождение тока через контакт двух полупроводников с разными проводимостями, например германия р и германия n.

(далее…)