Точечные и плоскостные транзисторы
Большинство транзисторов делается из германия. Исключение составляют кремниевые транзисторы типа n-р-n П101, П101А, П102 и П103 (рис.30 б). Их особенность, состоит в том, что они могут работать при температурах до 120 °С. Они имеют а от 0,9 до 0,93 при частоте усиления до 200 кгц для П101, 465 кгц для П102 и 1000 кгц для П103. Напряжение коллектора допускается до 20 в для П101 и до 10 в для П102 и П103. Предельная мощность, рассеиваемая прибором, составляет 150 мвт.
К типу п-р-п относятся также германиевые транзисторы П8, П9, П9А, П10 и П11 (рис. 6.30 6), которые могут работать при температурах коллекторного перехода до 100 °С. Их основные данные: наибольшее напряжение коллектора 20 в, наибольшая мощность, рассеиваемая прибором, 150 мет, величина а до 0,9—0,95 при предельной частоте усиления 100 кгц для П8, 465.кгц для П9, 1000 кгц для П10 и 1600 кгц для ПИ.
В последнее время выпущены также кремниевые транзисторы типа р-п-р П104, П105 и П106 для работы при температурах до 120 °С, оформленные по рис.30 б. Они имеют предельную частоту усиления 100 кгц для П104 я П105 и более высокую 465 кгц для П106, а допустимая мощность, рассеиваемая прибором, составляет 150 мвт.
Для мощных усилителей низкой частоты предназначены транзисторы П2, ПЗ, П4, П7, П25, П26, а также П201—П203. Более старые из них П2А и П2Б оформлены по рис.31 а. В схеме с общей базой они могут дать полезную мощность 100 мет. К устаревшим относятся также транзистор П7 (рис.31 б) .и транзисторы ПЗА, ПЗБ и ПЗВ (рис.32 а). Транзисторы ПЗ дают в схеме о общим эмиттером полезную мощность до 1 в т.
Новыми приборами, заменяющими П2А и П2Б, являются транзисторы П25, П25А, П25Б, П26, П26А и П26Б, оформленные по рис.30 б. Все они рассчитаны на максимальную допустимую мощность, рассеиваемую прибором, 200 мвт. Наибольшее напряжение коллектора у первых трех приборов 60 в, у остальных—100 в. Предельная частота усиления по току у приборов П25Б и П26Б составляет 465 кгц, у остальных — 200 кгц.