Март 9, 2009
Есть значительное сходство в работе транзистора и вакуумного триода. На рис.17 б показана схема для вакуумного триода, аналогичная рассмотренной схеме включения транзистора. Пусть триод имеет густую сетку. Тогда при напряжении сетки, равном нулю, анодный ток сравнительно мал, так как лишь небольшое количество электронов, эмитированных катодом, пролетит сквозь сетку. Сопротивление лампы между анодом и катодом будет велико потому, что в промежутке сетка — анод мало электронов. Но если на сетку подать положительное напряжение, то в промежуток сетка — анод попадет значительно большее количество электронов из объемного заряда, окружающего катод. Сопротивление между анодом и катодом уменьшится, и анодный ток возрастет.
Однако между вакуумным триодом и транзистором имеются большие различия. В транзисторах нет электронной эмиссии и движения свободных электронов в вакууме. А в вакуумных триодах нет дырочной проводимости и явления диффузии электронов и дырок. Транзисторы не могут работать в режиме, аналогичном работе вакуумного триода без сеточного тока.
(далее…)
Март 9, 2009
Рис.15. Принцип устройства плоскостного транзистора (а) и изображения транзисторов на схемах (б и в)
Транзисторы, т. е. полупроводниковые или кристаллические триоды, применяющиеся в усилителях, приемниках, генераторах и других устройствах, также разделяются на плоскостные и точечные. Рассмотрим принцип их работы на примере плоскостного транзистора. Схематически его устройство показано на рис. 15 а. Он представляет собой пластинку германия или другого полупроводника, в которой созданы три области различных проводимостей. Для примера взят транзистор n-р-n, .имеющий среднюю область с дырочной проводимостью, в крайние области с электронной проводимостью. Применяются также транзисторы p-n-р, в которых дырочной проводимостью обладают крайние области.
Средняя область транзистора называется базой или основанием (иногда управляющим электродом). Одна крайняя область называется эмиттером, другая — коллектором. Как видно, в транзисторе имеются два р-я-перехода: эмиттерный и коллекторный. Расстояние между ними очень мало, порядка 10—20 мк и менее, т. е. область базы представляет собой очень тонкий слой. Это является важнейшим условием для работы транзистора. С помощью металлических электродов от базы, эмиттера и коллектора сделаны выводы.
(далее…)
