Полупроводниковые электронные приборы.

Важнейшим параметром транзисторов является статический коэффициент усиления по току а для схемы с общей базой. Он представляет собой отношение изменения тока коллектора ΔIк к вызвавшему его изменению тока эмиттера ΔIэ при постоянном напряжении коллектор—-база Uкб:

Для плоскостных транзисторов а меньше 1 и при низких частотах имеет значения порядка 0,8—0,97 и выше. С повышением частоты а уменьшается. Это объясняется инерционностью носителей при их движении сквозь базу, а также шунтирующим влиянием собственной емкости коллекторного перехода Скt.

У плоскостных транзисторов она бывает от единиц до десятков пикофарад и более. Она возрастает с увеличением площади перехода и, следовательно, имеет большее значение у более мощных транзисторов. Первые плоскостные транзисторы были предназначены для частот не выше нескольких мегагерц. Однако в настоящее время промышленность выпускает много новых типов плоскостных транзисторов, работающих на частотах до десятков мегагерц и выше.
Пользуются также статическим коэффициентом усиления по току р для схемы с общим эмиттером, который показывает, во сколько раз изменение тока коллектора больше изменения тока базы при постоянном напряжении коллектор — эмиттер:

Нетрудно получить простые формулы, связывающие друг с другом коэффициенты α и β